渴望固态硬盘带来的高速快感?三星终于放了大招

产品

2015-08-06 12:03

作为世界一大固态硬盘制造商,三星将要在接下来的新品更新期中放大招了。

根据 Engadget 的报道,三星计划在旗下的 SSD 新产品中用上 3-Bit MLC 以及与 TLC V-NAND 一样为人所熟知的 3D 垂直 V-NAND 闪存技术。

samsungssd850pro-6

在此之前,三星的 V-NAND 技术已经能够量产并且应用到自家的旗舰系列 850 Pro 固态硬盘上,同时这种技术也号称有着十年的生命期。

而今天谈到的 3bit V-NAND 闪存,利用三星独有的 3D 电荷捕获型栅极存储单元结构技术,每片闪存芯片由 32 层垂直堆叠的存储单元组成,单片闪存的存储容量可达 128GB ,

samsung-850-evo-1tb

并且这种技术在最近推出的 850 EVO 已经开始投入量产了,

相信今后出现更大容量、价格更实惠的固态硬盘将不再是无止境的等待。

对于渴望固态硬盘带来的高速快感,但是却因容量需求和价格被迫选择老式硬盘的用户,这必定是一个好消息。

 

题图来自:Techspot

插图来自:cnetAmazon

后评论

评论在审核通过后将对所有人可见

正在加载中