# 芯片生产商比亚迪

- 作者：吴鹏飞
- 发布时间：2018-12-11 23:12
- 分类：董车会
- 原文：https://www.ifanr.com/1144854

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昨天比亚迪在宁波开了一场发布会，没发新车，发了一款芯片。

像比亚迪这样的车企确实挺「奇葩」的，从数码 3C 的电池到汽车动力电池，再到整车制造，无所不通。

近日，比亚迪再次刷新了坊间对其公司业务的认知，比如说不声不响弄了个芯片。

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这块芯片有个并不太好读的缩写 IGBT，全拼和中文名是这样的 Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管芯片。

先交代一下，这不是比亚迪的发明，你马路上见到的新能源车上都搭载了 IGBT，但供应厂商无非就德、日、中三国那么几家。

为数不多主机厂里头自主在研发 IGBT 的，除了比亚迪，丰田算一个，其余基本都依赖英飞凌等供应商。

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一般主机厂「越俎代庖」干了供应商的活儿，原因很简单，关键零部件不想被供应商「掐住」脖子，同时做到成本可控。

从手机 PC 到现在的汽车，芯片之争格外激烈，不少国产品牌喊出了「国产芯」的口号，为了这个目标，比亚迪在半导体行业已经努力了十余年。

### IGBT，电动汽车的「命根子」

对于电动车而言，IGBT 直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。在车内，IGBT 芯片的重要性不亚于电池电芯。

了解电车结构的人肯定知道，电车不是想象中的接电就走，电控系统格外重要，怎么高效地运用电能是考验工程师的一个重要命题。

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从汽车到地铁、高铁等轨道交通等等一切用电驱动的载具中，IGBT 无处不在，具体由封装形式不同分为模块和单管，最基础的还是芯片晶圆。

很容易想象，电压越高，对于 IGBT 的要求也就更大。从车用的 600V 到轨道交通的 1100V-3000V，电流都需要 IGBT 来「驾驭」。

原理类似于喊了很多年的变频空调，在车里头，IGBT 也是通过改变电流的频率来实现电机的转速，从而输出所需的动力。

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另一方面，除了能「驾驭」电流，IGBT 还需要保证能耗。众所周知，「发热」是电子元器件的致命杀手，为了保证元件能够正常运行，发热就需要散热，这也就意味着车辆需要额外的电量去维持温度。

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一来二去，能量的损耗将大大影响电车的续航，所以从源头上抑制发热是关键。

无论是车辆性能还是续航表现，IGBT 都扮演了非常重要的角色。目前，几乎所有的比亚迪新能源车都搭载了自主研发的 IGBT，只能说全新一代唐 EV 百公里 4.4S 加速能力和等速 600 公里续航绝非偶然。

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### 「造芯」很难，比亚迪发布的 IGBT 4.0 有什么特点

和所有芯片一样，IGBT 的研发制造同样设计门槛高、制造技术难、投资大。

我们来看一下官方的「硬核」科普

芯片要求：

> IGBT 芯片仅有人的指甲大小，但却要在其上蚀刻十几万乃至几十万的微观结构电路，仅能在显微镜下查看。
> 
> IGBT 芯片设计难度高：IGBT 虽然是一个开关器件，但涉及到的参数多达十几个，很多参数之间是相互矛盾，需要根据应用折衷考虑。
> 
> 晶圆制造工艺难度大：最主要体现在薄片加工处理上。采用最新的 1200V FS 技术的 IGBT，需要将晶圆减薄到 120um（约两根头发丝直径）的厚度，再进行 10 余道工序加工。
> 
> 晶圆制造的厂房洁净度要求非常高，需要一级净化。一个零点几微米的微尘掉落在晶圆上，就会造成一颗 IGBT 芯片失效。

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至于加装到车里还需要考虑到模块化等等，和数码 3C 产品「舒适」的工作环境不同，车规级芯片还要应对严苛的行车工况。

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相比市面上的主流产品，比亚迪宣称自家的 IGBT 4.0 具备以下优势：

> 1\. 电流输出能力较当前市场主流的 IGBT 高15%，支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。
> 
> 2\. 同等工况下，综合损耗较当前市场主流的 IGBT 降低了约20%，整车电耗显著降低。
> 
> 3\. 温度循环寿命可以做到当前市场主流 IGBT 的 10 倍以上。

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另一方面就是成本，比亚迪介绍，目前市面上主流的车载 IGBT 成本占到整车的 5% 左右，短期内还在持续上涨。通过规模化量产，比亚迪希望进一步降低成本，拉低。

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目前比亚迪位于宁波的半导体工厂的月产五万片晶圆，理论上能够配备五万辆新车。按照规划，2020 年这家工厂的月产能有望做到十万片，除了自给自足外，还可以提供给其他主机厂使用。

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最后一个彩蛋是，比亚迪宣布，在材料上进一步突破，有望于 2019 年推出搭载 SiC 电控的电动车。预计到 2023 年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现 SiC 基车用功率半导体对硅基 IGBT 的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升 10 %。

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> SiC 具备高耐压、低损耗、高效率的特性，是替代 Si 的第三代半导体材料

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