# 三星首款 1TB 闪存开始生产，手机存储容量似乎快追上 PC 了

- 作者：林树洽
- 发布时间：2019-01-31 16:24
- 分类：产品
- 原文：https://www.ifanr.com/1169971

![](https://s3.ifanr.com/wp-content/uploads/2019/01/samsung-eufs.jpg)

在推出 128GB 容量 eUFS 2.1 存储芯片 4 年后，三星终于将手机存储容量提升至 1TB 级别。

近日，三星在其官网正式宣布，将量产业界首款适用于智能手机和移动设备的 1TB 容量 eUFS 2.1 存储芯片，并计划于 2019 年上半年在其位于韩国 Pyeongtaek 工厂扩大其第 5 代 512Gb V-NAND 闪存颗粒的产能，以满足全球移动设备制造商对 1TB eUFS 存储芯片的需求。

对此，三星电子内存销售和营销执行副总裁 Cheol Choi 表示：

> 1TB eUFS 存储芯片（的出现），预计将为下一代移动设备在更多媲美高端笔记本电脑的用户体验方面，发挥着关键的作用。

据了解，1TB eUFS 2.1 存储芯片可以存储 260 份时长为 10 分钟的 4K 视频，与之对比目前主流的 64GB 存储芯片只能存储 10 份同等规格的视频。

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同时，这些 1TB eUFS 2.1 存储芯片与三星于 2017 年底推出的 512GB eUFS 2.1 存储芯片的封装尺寸规格一致，均为 11.5mm x 13.0mm，这意味着那些计划搭载 1TB 存储容量的智能手机，不需要因此改变机身内部的设计构造。

1TB eUFS 2.1 存储芯片由搭载 16 个堆叠的 512Gb 三星 V-NAND 颗粒和新开发的专用控制器构成，它的连续读取速度最高为 1000 MB/s、连续写入速度最高为 260 MB/s、随机读取速度最高为 58000 IOPS、随机写入速度最高为 50000 IOPS。

根据三星的说法，这款芯片在随机读取速度方面比 512GB 版本的 eUFS 2.1 存储芯片快 38%，随机写入速度比高性能 micoSD 卡（100 IOPS）快 500 倍；而其连续读取速度差不多是传统 2.5 英寸 SATA 固态硬盘的 2 倍，是常规 microSD 卡的 10 倍。

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尽管 1TB eUFS 2.1 存储芯片已经开始投入生产，但首款搭载 1TB 存储容量的智能手机将花落谁家，仍无法确定，一部分外媒认为，伴随着三星宣布量产 1TB eUFS 2.1 存储芯片，即将在下个月发布的三星 Galaxy S10 系列机型或许有望成为首款搭载 1TB 存储容量的智能手机。

不过，真正的问题是你真的需要 1TB 容量的手机吗？