英特尔公布技术路线图，2025 年重夺领域主导地位

7 月 27 日凌晨，英特尔进行了一场线上直播活动，公开了英特尔未来 5 年的处理器路线图以及新的芯片和封装技术。英特尔宣称，将会在 2025 年重新夺回其在处理器领域的主导地位。

新的路线图可以看到，英特尔将不再采用行业此前通用的，基于纳米制程工艺的节点命名法则，而是将采用全新的命名方案。

Intel 7：第三代 10nm 芯片更名为 Intel 7（替换去年的增强型 SuperFin），每瓦性能将提供 10~15%，目前已经投入量产，将带来 Alder Lake 消费级处理器和 Sapphire Rapids 数据中心处理器。
Intel 4： 7nm 节点更名为 Intel 4，相比 Intel 7 每瓦性能提升 20%，将使用 EUV 光刻技术，首批应用产品是 Meteor Lake 和 Granite Rapids。Meteor Lake 将使用 Foveros 封装技术，支持 5 至 125W 的 TDP 范围，预计将于 2022 年末推出。
Intel 3：Intel 3 节点预计在 2023 年下半年亮相，预计是 Intel 4 7nm 工艺的升级应用，与 Intel 4 相比，每瓦性能提高约 18%。虽然没有明说，但预计最快都要等到 2024 年才有望上市了。

简单总结来说，10nm ESF 改名为 Intel 7，7nm 改名为 Intel 4，7nm 增强版改名为 Intel 3。

除此之外，还有英特尔将下一代技术芯片命名为 Intel 20A。

这个 A 代表的是单位「埃格斯特朗」（Ångström, 简称埃，符号Å），即 0.1nm，20A 就是 2nm。这是英特尔自 2011 年推出 FinFET 以来首次官宣推出的新晶体管架构，被称之为「RibbonFET」。这是英特尔的首个环栅晶体管架构（GAA），它将带来更高的晶体管集成密度和更小的芯片尺寸。

同时，20A 将引入英特尔独有的「PowerVia」技术，将允许从芯片背面获得供电，避免了晶圆此前的正面供电布线需求从而优化信号传输。