# 镁光公布新技术存储芯片，未来手机存储容量终将上 1T

- 作者：宋延博
- 发布时间：2016-08-10 23:10
- 分类：公司
- 原文：https://www.ifanr.com/699985

![image description](https://s3.ifanr.com/wp-content/uploads/2016/08/girl-taking-photos-phone.jpg)

或许再过几年我们手机存储空间就可以翻倍了。

在美国加州正在举行的 Flash Memory Summit 大会上，[镁光（Micron）正式公布第一款 3D NAND 芯片](http://www.pcworld.com/article/3105635/storage/micron-aims-to-cram-more-storage-in-smartphones-with-3d-nand-flash.html)。

![high_res_3d_nand_die_w_m2_ssd-100644226-large](https://s3.ifanr.com/wp-content/uploads/2016/08/high_res_3d_nand_die_w_m2_ssd-100644226-large.jpg)

新推出的 3D NAND 与目前手机上使用的 2D NAND 相比，存储密度大幅提高，而直观感受就是在体积相同的情况下可以提供更高的存储容量。

不同于 2D NAND 的平铺式排布存储单元，3D NAND 采用垂直的方式立体排布存储单元，并且因为存储单元排列方式的改变，其芯片间的通讯速度也变得更加快速、高效。

除此之外，该产品还使用全新的 UFS2.1 标准，这种存储协议标准在理论上要比目前市面上手机所使用的协议更加快速。

![Skater teenager girl taking a photograph with smart phone camera](https://s3.ifanr.com/wp-content/uploads/2016/08/girl-taking-photos-phone.jpg)

镁光认为智能手机的存储容量将会持续的增长下去，尤其是虚拟现实和流媒体视频的兴起。

而据镁光预测智能手机的存储容量将会达到今天 PC 的水平，大约在 2020 年达到 1TB。

目前公布的 3D NAND 芯片拥有 32GB 容量，镁光方面并未给出 3D NAND 闪存芯片的发展路线图。