# IBM 在晶体管方面的试验突破

- 作者：刘文慧
- 发布时间：2013-03-22 16:41
- 原文：https://www.ifanr.com/news/266550

[![814960136](https://s3.ifanr.com/wp-content/uploads/2013/03/814960136.jpg)](http://www.ifanr.com/news/266550/attachment/814960136)

据 [Gigaom ](http://gigaom.com/2013/03/21/ibm-rethinks-the-transistor-to-keep-scaling-compute-power/)报道，IBM 为晶体管添加了一层涂层，这层涂层可以用离子实现电路，取代电子。采用这种晶体管的芯片，可以使设备读取离子信号，而这一点可以帮助芯片厂商在一块芯片上搭载更多晶体管。

IBM 并没有制作出这样一款芯片，而是演示了一个大概的电路，它希望这项技术可以在未来 5 到 7 年脱离实验室，进入使用，并且假设未来的生产可以沿用当前相同的生产工序。

当下芯片搭载更多晶体管的难关在于电子导致性能和热量的损耗。而新的涂层及对离子的使用可以减少泄露，如果新技术得以使用，也意味着芯片的成本将继续降低。

如果人们能够制造出更小、性能更强大的芯片，就能跟上摩尔定律，正是这种质的突变迎来一场场科技上的革命。